STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 11 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, STD13NM60N, MDmesh II系列
- RS 库存编号:
- 151-951
- 制造商零件编号:
- STD13NM60N
- 制造商:
- STMicroelectronics
小计（1 卷，共 2500 件）*
¥20,295.00
(不含税)
¥22,932.50
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年4月14日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 2500 + | RMB8.118 | RMB20,295.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 151-951
- 制造商零件编号:
- STD13NM60N
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 11A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | MDmesh II | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.36Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.5V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 27nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 10.1mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 高度 | 2.4mm | |
| 宽度 | 6.6 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 11A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 MDmesh II | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.36Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.5V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 27nC | ||
最大栅源电压 Vgs 25 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 10.1mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
高度 2.4mm | ||
宽度 6.6 mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
意法半导体功率 MOSFET 采用第二代 MDmesh 技术开发而成。这款革命性的功率 MOSFET 将垂直结构与公司的带状布局相结合，从而实现了世界上最低的导通电阻和栅极电荷。因此，它适用于要求最苛刻的高效转换器。
100% 经过雪崩测试
低输入电容和栅极电荷
低栅极输入电阻