STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=750 V, 30 A, HU3PAK, 表面安装, 7引脚, SCT060HU75G3AG, SCT060HU系列
- RS 库存编号:
- 152-109
- 制造商零件编号:
- SCT060HU75G3AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 600 + | RMB92.016 | RMB55,209.60 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 152-109
- 制造商零件编号:
- SCT060HU75G3AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 30A | |
| 最大漏源电压 Vd | 750V | |
| 包装类型 | HU3PAK | |
| 系列 | SCT060HU | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 58mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 3V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 29nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±18 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 3.6mm | |
| 长度 | 14.1mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 宽度 | 19 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 30A | ||
最大漏源电压 Vd 750V | ||
包装类型 HU3PAK | ||
系列 SCT060HU | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻 Rd 58mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 3V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 29nC | ||
最大栅源电压 Vgs ±18 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 3.6mm | ||
长度 14.1mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
宽度 19 mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
意法半导体碳化硅功率 MOSFET 器件采用意法半导体先进的创新型第三代 SiC MOSFET 技术开发而成。该设备在整个温度范围内具有非常低的 RDS(接通),结合低电容和非常高的切换操作,可在频率、能效、系统尺寸和重量降低方面提高应用性能。
通过 AEC-Q101 认证
高速开关性能
速度极快、坚固耐用的本体二极管
源传感引脚可提高效率