STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 53 A, ACEPACK SMIT, 表面安装, 8引脚, SH63N65DM6AG, MDmesh DM6系列
- RS 库存编号:
- 152-113P
- 制造商零件编号:
- SH63N65DM6AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 152-113P
- 制造商零件编号:
- SH63N65DM6AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 53A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | MDmesh DM6 | |
| 包装类型 | ACEPACK SMIT | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 64mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 8nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±25 V | |
| 最大功耗 Pd | 424W | |
| 正向电压 Vf | 1.55V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | AQG 324 | |
| 汽车标准 | AEC | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 53A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 MDmesh DM6 | ||
包装类型 ACEPACK SMIT | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 64mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 8nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs ±25 V | ||
最大功耗 Pd 424W | ||
正向电压 Vf 1.55V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 AQG 324 | ||
汽车标准 AEC | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
意法半导体的这款器件在半桥拓扑结构中结合了两个 MOSFET。ACEPACK SMIT 是一款非常紧凑且坚固的电源模块,采用表面安装封装,易于组装。由于采用了 DBC 基底面，ACEPACK SMIT 封装的热阻较低，同时还具有隔离的顶部散热垫。封装的高设计灵活性允许多种配置,包括相位支脚、升压和单开关,通过内部电源开关的不同组合。
符合 AQG 324 标准
半桥电源模块
650 V 阻塞电压
快速恢复体二极管
开关能量极低
封装电感低