STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 53 A, ACEPACK SMIT, 贴片安装, 8引脚, MDmesh DM6系列
- RS 库存编号:
- 152-113P
- 制造商零件编号:
- SH63N65DM6AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 152-113P
- 制造商零件编号:
- SH63N65DM6AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 53 A | |
| 最大漏源电压 | 650 V | |
| 封装类型 | ACEPACK SMIT | |
| 系列 | MDmesh DM6 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 53 A | ||
最大漏源电压 650 V | ||
封装类型 ACEPACK SMIT | ||
系列 MDmesh DM6 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
意法半导体的这款器件在半桥拓扑结构中结合了两个 MOSFET。ACEPACK SMIT 是一款非常紧凑且坚固的电源模块,采用表面安装封装,易于组装。由于采用了 DBC 基底面，ACEPACK SMIT 封装的热阻较低，同时还具有隔离的顶部散热垫。封装的高设计灵活性允许多种配置,包括相位支脚、升压和单开关,通过内部电源开关的不同组合。
符合 AQG 324 标准
半桥电源模块
650 V 阻塞电压
快速恢复体二极管
开关能量极低
封装电感低
半桥电源模块
650 V 阻塞电压
快速恢复体二极管
开关能量极低
封装电感低