STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1700 V, 4 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, STGAP2SICSNC, STGAP2系列

小计(1 管,共 2000 件)*

¥26,306.00

(不含税)

¥29,726.00

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RS 库存编号:
152-179
制造商零件编号:
STGAP2SICSNC
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

4A

最大漏源电压 Vd

1700V

系列

STGAP2

包装类型

SO-8

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

1GΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

±30 V

最低工作温度

-40°C

最高工作温度

125°C

宽度

4 mm

标准/认证

RoHS

高度

1.75mm

长度

5mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
TW
STMicroelectronics 单门驱动器可在门驱动通道和低电压控制和接口电路之间提供电磁隔离。该栅极驱动器具有 4 A 能力和轨至轨输出,因此也适用于中高功率应用,如工业应用中的功率转换和电机驱动逆变器。

独立的灌电流和源电流选件,方便栅极驱动配置

4 A Miller CLAMP 专用引脚选件

UVLO 功能

栅极驱动电压高达 26 V