STMicroelectronics P型沟道 消耗型 MOSFET, Vds=650 V, ACEPACK SMIT, 表面安装, 9引脚, STGSH80HB65DAG, HB系列
- RS 库存编号:
- 152-183P
- 制造商零件编号:
- STGSH80HB65DAG
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- RS 库存编号:
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- 制造商零件编号:
- STGSH80HB65DAG
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | ACEPACK SMIT | |
| 系列 | HB | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 9 | |
| 通道模式 | 消耗 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 456nC | |
| 最大功耗 Pd | 250W | |
| 正向电压 Vf | 1.9V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | Automotive-grade | |
| 长度 | 25.20mm | |
| 宽度 | 33.20 mm | |
| 高度 | 4.05mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 ACEPACK SMIT | ||
系列 HB | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 9 | ||
通道模式 消耗 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 456nC | ||
最大功耗 Pd 250W | ||
正向电压 Vf 1.9V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 Automotive-grade | ||
长度 25.20mm | ||
宽度 33.20 mm | ||
高度 4.05mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
意法半导体的这款器件在半桥拓扑结构中结合了两个 IGBT 和二极管，安装在一个非常紧凑、坚固耐用且易于表面贴装的封装中。该器件是 HB 系列 IGBT 的一部分，在传导和开关损耗方面都进行了优化，以实现软换向。每个开关中都包含一个具有低压降正向电压的续流二极管。
符合 AQG 324 标准
高速开关系列
尾端电流最小化
严格的参数分布
DBC 基板热阻低