Infineon P型沟道增强型 MOSFET, Vds=60 V, 1.9 A, SOT-223, 表面安装, 4引脚, BSP171PH6327XTSA1, SIPMOS系列

RS 库存编号:: 167-942
制造商零件编号:: BSP171PH6327XTSA1
制造商:: Infineon

Infineon P型沟道增强型 MOSFET, Vds=60 V, 1.9 A, SOT-223, 表面安装, 4引脚, BSP171PH6327XTSA1, SIPMOS系列

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制造商零件编号:: BSP171PH6327XTSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	P型
	最大连续漏极电流 Id	1.9A
	最大漏源电压 Vd	60V
	包装类型	SOT-223
	系列	SIPMOS
	安装类型	表面
	引脚数目	4
	最大漏源电阻 Rd	300mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	13nC
	最大功耗 Pd	1.8W
	正向电压 Vf	-1.1V
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	20 V
	最高工作温度	150°C
	长度	6.5mm
	标准/认证	No
	高度	1.6mm
	宽度	3.5 mm
	汽车标准	AEC-Q101
	Distrelec Product Id	304-36-976

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 P型
	最大连续漏极电流 Id 1.9A
	最大漏源电压 Vd 60V
	包装类型 SOT-223
	系列 SIPMOS
	安装类型表面
	引脚数目 4
	最大漏源电阻 Rd 300mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 13nC
	最大功耗 Pd 1.8W
	正向电压 Vf -1.1V
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 20 V
	最高工作温度 150°C
	长度 6.5mm
	标准/认证 No
	高度 1.6mm
	宽度 3.5 mm
	汽车标准 AEC-Q101
	Distrelec Product Id 304-36-976

英飞凌 SIPMOS® 系列 MOSFET，1.9A 最大连续漏极电流，1.8W 最大功率耗散 - BSP171PH6327XTSA1

这款 MOSFET 采用 P 沟道技术，专为高性能开关应用而设计。它采用 SIPMOS® 技术，确保在紧凑型 SOT-223 封装中可靠运行，是汽车和工业应用的理想之选。1.9A 的持续额定漏极电流和 60V 的最大电压提高了其在各种用途中有效管理电源的效率。

特点和优势

• P 沟道配置支持低侧开关应用

• 增强模式运行可提高效率

• 表面贴装设计节省了宝贵的 PCB 空间

• 额定温度高达 +150°C ，确保耐用性

• 低 Rds(on) 减少了开关过程中的功率损耗

应用

• 汽车电子设备中的负载开关

• 提高能效的电源管理电路

• 高频率需要快速切换

• 消费电子设备中的驱动负载

• 需要紧凑型解决方案的电源电路

该元件能承受的最大漏极-源极电压是多少？

该元件可承受 60V 的最大漏极-源极电压，因此适用于各种应用。

该组件在高温下的性能如何？

它能在高达 +150°C 的温度下有效工作，在苛刻的环境中也能提供出色的性能。

能否用于电池供电电路？

是的，它的低 Rds（on）大大降低了功率损耗，因此非常适合电池供电设备。

雪崩等级有什么意义？

雪崩额定值表明该设备可以吸收能量尖峰，从而提高其在瞬态过程中的耐用性和可靠性。

如何确保在 PCB 上正确安装？

在安装过程中，必须遵循 SOT-223 封装的尺寸规格，并实施适当的热管理。

Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 1.9 A, SOT-223, 表面安装, 4引脚, BSP171PH6327XTSA1, SIPMOS系列