Infineon P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 1.9 A, SOT-223, 贴片安装, 3引脚, SIPMOS®系列

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包装方式：
RS 库存编号:
167-942P
制造商零件编号:
BSP171PH6327XTSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

P

最大连续漏极电流

1.9 A

最大漏源电压

60 V

封装类型

SOT-223

系列

SIPMOS®

安装类型

贴片

引脚数目

3

最大漏源电阻值

300 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

2V

最小栅阈值电压

1V

最大功率耗散

1.8 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-20 V、+20 V

每片芯片元件数目

1

宽度

3.5mm

长度

6.5mm

最高工作温度

+150 °C

晶体管材料

Si

典型栅极电荷@Vgs

13 nC @ 10 V

汽车标准

AEC-Q101

正向二极管电压

1.1V

最低工作温度

-55 °C

高度

1.6mm

Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET


Infineon SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。

· 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表）
· 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准

英飞凌 SIPMOS® 系列 MOSFET，1.9A 最大连续漏极电流，1.8W 最大功率耗散 - BSP171PH6327XTSA1


这款 MOSFET 采用 P 沟道技术，专为高性能开关应用而设计。它采用 SIPMOS® 技术，确保在紧凑型 SOT-223 封装中可靠运行，是汽车和工业应用的理想之选。1.9A 的持续额定漏极电流和 60V 的最大电压提高了其在各种用途中有效管理电源的效率。

特点和优势


• P 沟道配置支持低侧开关应用
• 增强模式运行可提高效率
• 表面贴装设计节省了宝贵的 PCB 空间
• 额定温度高达 +150°C ，确保耐用性
• 低 Rds(on) 减少了开关过程中的功率损耗

应用


• 汽车电子设备中的负载开关
• 提高能效的电源管理电路
• 高频率 需要快速切换
• 消费电子设备中的驱动负载
• 需要紧凑型解决方案的电源电路

该元件能承受的最大漏极-源极电压是多少？


该元件可承受 60V 的最大漏极-源极电压，因此适用于各种应用。

该组件在高温下的性能如何？


它能在高达 +150°C 的温度下有效工作，在苛刻的环境中也能提供出色的性能。

能否用于电池供电电路？


是的，它的低 Rds（on）大大降低了功率损耗，因此非常适合电池供电设备。

雪崩等级有什么意义？


雪崩额定值表明该设备可以吸收能量尖峰，从而提高其在瞬态过程中的耐用性和可靠性。

如何确保在 PCB 上正确安装？


在安装过程中，必须遵循 SOT-223 封装的尺寸规格，并实施适当的热管理。

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。



MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。