IXYS N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=200 V, 120 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, IXFH120N20P, HiperFET, Polar系列

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RS 库存编号:
193-458
Distrelec 货号:
302-53-308
制造商零件编号:
IXFH120N20P
制造商:
IXYS
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品牌

IXYS

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

120A

最大漏源电压 Vd

200V

系列

HiperFET, Polar

包装类型

TO-247

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

22mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

152nC

最大功耗 Pd

714W

最大栅源电压 Vgs

20 V

正向电压 Vf

1.5V

最高工作温度

175°C

长度

16.26mm

标准/认证

No

高度

21.46mm

宽度

5.3 mm

汽车标准

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。


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