IXYS N沟道增强型MOSFET, Vds=300 V, Id=86 A, 4针, SOT-227, HiperFET, Polar系列

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包装方式：
RS 库存编号:
193-464
Distrelec 货号:
302-53-358
制造商零件编号:
IXFN102N30P
制造商:
IXYS
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品牌

IXYS

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

86A

最大漏源电压 Vd

300V

包装类型

SOT-227

系列

HiperFET, Polar

安装类型

面板

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

33mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

570W

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

224nC

正向电压 Vf

1.5V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

高度

9.6mm

宽度

25.42mm

长度

38.23mm

汽车标准

否

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