IXYS N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 170 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, HiperFET, Polar系列

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包装方式：
RS 库存编号:
193-509P
制造商零件编号:
IXFH170N10P
制造商:
IXYS
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品牌

IXYS

通道类型

N

最大连续漏极电流

170 A

最大漏源电压

100 V

系列

HiperFET, Polar

封装类型

TO-247

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻值

9 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

5V

最大功率耗散

714000 mW

晶体管配置

单

最大栅源电压

-20 V、+20 V

宽度

5.3mm

晶体管材料

Si

典型栅极电荷@Vgs

198 nC @ 10 V

每片芯片元件数目

1

长度

16.26mm

最高工作温度

+175 °C

最低工作温度

-55 °C

高度

21.46mm

N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列


IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。



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