IXYS N沟道增强型MOSFET, Vds=300 V, Id=36 A, 3针, TO-220, HiperFET, Polar系列

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包装方式：
RS 库存编号:
193-622
制造商零件编号:
IXTP36N30P
制造商:
IXYS
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品牌

IXYS

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

36A

最大漏源电压 Vd

300V

包装类型

TO-220

系列

HiperFET, Polar

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

110mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

300W

最大栅源电压 Vgs

-30V, +30V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

70nC

正向电压 Vf

1.5V

最高工作温度

150°C

高度

9.15mm

长度

10.66mm

标准/认证

No

宽度

4.83mm

汽车标准

否

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