IXYS N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=300 V, 36 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IXTP36N30P

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193-622
制造商零件编号:
IXTP36N30P
制造商:
IXYS
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品牌

IXYS

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

36A

最大漏源电压 Vd

300V

包装类型

TO-220

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

110mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

300W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

70nC

正向电压 Vf

1.5V

最大栅源电压 Vgs

30 V

最高工作温度

150°C

宽度

4.83 mm

长度

10.66mm

标准/认证

No

高度

9.15mm

汽车标准

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列


IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™)

MOSFET 晶体管,IXYS


IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备