IXYS N沟道增强型MOSFET, Vds=300 V, Id=115 A, 4针, SOT-227, HiperFET, Polar系列

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包装方式:
RS 库存编号:
193-739P
制造商零件编号:
IXFN140N30P
制造商:
IXYS
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品牌

IXYS

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

115A

最大漏源电压 Vd

300V

包装类型

SOT-227

系列

HiperFET, Polar

安装类型

面板

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

24mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.3V

最大功耗 Pd

700W

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

185nC

最高工作温度

150°C

高度

9.6mm

宽度

25.07mm

标准/认证

No

长度

38.2mm

汽车标准

否

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