IXYS N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=500 V, 66 A, SOT-227, 面板安装, 4引脚, HiperFET, Polar系列

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包装方式:
RS 库存编号:
194-029P
制造商零件编号:
IXFN80N50P
制造商:
IXYS
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品牌

IXYS

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

66A

最大漏源电压 Vd

500V

系列

HiperFET, Polar

包装类型

SOT-227

安装类型

面板

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

65mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.5V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

195nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

700W

最大栅源电压 Vgs

30 V

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

宽度

25.07 mm

长度

38.2mm

高度

9.6mm

汽车标准

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列


IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™)

MOSFET 晶体管,IXYS


IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备