IXYS N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 72 A, SOT-227, 面板安装, 4引脚, IXFN82N60P

可享批量折扣

小计(1 件)*

¥289.47

(不含税)

¥327.10

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 另外 99 件在 2025年12月22日 发货
  • 另外 116 件在 2025年12月29日 发货
  • 另外 350 件在 2026年8月21日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位
每单位
1 - 2RMB289.47
3 - 4RMB283.68
5 +RMB278.00

* 参考价格

RS 库存编号:
194-130
制造商零件编号:
IXFN82N60P
制造商:
IXYS
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

IXYS

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

72A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

SOT-227

安装类型

面板

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

75mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

1.04kW

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

240nC

最大栅源电压 Vgs

30 V

正向电压 Vf

1.5V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

长度

38.2mm

宽度

25.07 mm

标准/认证

No

高度

9.6mm

汽车标准

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列


IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™)

MOSFET 晶体管,IXYS


IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备