IXYS N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=72 A, 4针, SOT-227, HiperFET, Polar系列

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194-130
制造商零件编号:
IXFN82N60P
制造商:
IXYS
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品牌

IXYS

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

72A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

SOT-227

系列

HiperFET, Polar

安装类型

面板

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

75mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

240nC

最大功耗 Pd

1.04kW

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

-30V, +30V

正向电压 Vf

1.5V

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

宽度

25.07mm

高度

9.6mm

长度

38.2mm

汽车标准

否

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