IXYS N沟道增强型MOSFET, Vds=150 V, Id=150 A, 4针, SOT-227, HiperFET, Polar系列
- RS 库存编号:
- 194-259
- 制造商零件编号:
- IXFN180N15P
- 制造商:
- IXYS
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- 制造商零件编号:
- IXFN180N15P
- 制造商:
- IXYS
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | IXYS | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 150A | |
| 最大漏源电压 Vd | 150V | |
| 包装类型 | SOT-227 | |
| 系列 | HiperFET, Polar | |
| 安装类型 | 面板安装 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 11mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | -20, +20V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 240nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 680W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 长度 | 38.23mm | |
| 高度 | 9.6mm | |
| 宽度 | 25.42mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 IXYS | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 150A | ||
最大漏源电压 Vd 150V | ||
包装类型 SOT-227 | ||
系列 HiperFET, Polar | ||
安装类型 面板安装 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 11mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs -20, +20V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 240nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 680W | ||
最高工作温度 175°C | ||
晶体管配置 单 | ||
长度 38.23mm | ||
高度 9.6mm | ||
宽度 25.42mm | ||
N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFETTM PolarTM 系列
IXYS N 通道功率 MOSFET,带快速本质二极管 (HiPerFETTM)
MOSFET 晶体管，IXYS
IXYS 提供广泛的先进分立功率 MOSFET 器件
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