IXYS N沟道增强型MOS管, Vds=150 V, 150 A, SOT-227, 螺钉安装, 4引脚, IXFN180N15P
- RS 库存编号:
- 194-259P
- 制造商零件编号:
- IXFN180N15P
- 制造商:
- IXYS
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 2 - 4 | RMB155.18 |
| 5 + | RMB145.42 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 194-259P
- 制造商零件编号:
- IXFN180N15P
- 制造商:
- IXYS
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | IXYS | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 150 A | |
| 最大漏源电压 | 150 V | |
| 封装类型 | SOT-227 | |
| 系列 | HiperFET, Polar | |
| 安装类型 | 螺钉 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻值 | 11 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 5V | |
| 最大功率耗散 | 680000 mW | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 宽度 | 25.42mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 38.23mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 240 nC @ 10 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 高度 | 9.6mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 IXYS | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 150 A | ||
最大漏源电压 150 V | ||
封装类型 SOT-227 | ||
系列 HiperFET, Polar | ||
安装类型 螺钉 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻值 11 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 5V | ||
最大功率耗散 680000 mW | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
宽度 25.42mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 38.23mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 240 nC @ 10 V | ||
晶体管材料 Si | ||
高度 9.6mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列
IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
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