IXYS N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=800 V, 53 A, SOT-227, 面板安装, 4引脚, IXFN60N80P, HiperFET, Polar系列

可享批量折扣

小计(1 件)*

RMB366.62

(不含税)

RMB414.28

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看

单位
每单位
1 - 2RMB366.62
3 - 4RMB359.28
5 +RMB348.51

* 参考价格

RS 库存编号:
194-350
Distrelec 货号:
302-53-376
制造商零件编号:
IXFN60N80P
制造商:
IXYS
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

IXYS

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

53A

最大漏源电压 Vd

800V

系列

HiperFET, Polar

包装类型

SOT-227

安装类型

面板

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

140mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

1.04kW

正向电压 Vf

1.5V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

250nC

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

高度

9.6mm

长度

38.23mm

汽车标准

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列


IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™)

MOSFET 晶体管,IXYS


IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备