制造商编号

IXYS N沟道增强型MOS管, Vds=500 V, 61 A, SOT-227, 螺钉安装, 4引脚, HiperFET, Polar系列

RS 库存编号:: 194-568
Distrelec 货号:: 302-53-377
制造商零件编号:: IXFN64N50P
制造商:: IXYS

IXYS N沟道增强型MOS管, Vds=500 V, 61 A, SOT-227, 螺钉安装, 4引脚, HiperFET, Polar系列

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Distrelec 货号:: 302-53-377
制造商零件编号:: IXFN64N50P
制造商:: IXYS

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	IXYS
	通道类型	N
	最大连续漏极电流	61 A
	最大漏源电压	500 V
	系列	HiperFET, Polar
	封装类型	SOT-227
	安装类型	螺钉
	引脚数目	4
	最大漏源电阻值	85 mΩ
	通道模式	增强
	最大栅阈值电压	5.5V
	最大功率耗散	700000 mW
	晶体管配置	单
	最大栅源电压	-30 V、+30 V
	典型栅极电荷@Vgs	150 nC @ 10 V
	最高工作温度	+150 °C
	长度	38.23mm
	每片芯片元件数目	1
	晶体管材料	Si
	宽度	25.42mm
	高度	9.6mm
	最低工作温度	-55 °C

	选择全部
	品牌 IXYS
	通道类型 N
	最大连续漏极电流 61 A
	最大漏源电压 500 V
	系列 HiperFET, Polar
	封装类型 SOT-227
	安装类型螺钉
	引脚数目 4
	最大漏源电阻值 85 mΩ
	通道模式增强
	最大栅阈值电压 5.5V
	最大功率耗散 700000 mW
	晶体管配置单
	最大栅源电压 -30 V、+30 V
	典型栅极电荷@Vgs 150 nC @ 10 V
	最高工作温度 +150 °C
	长度 38.23mm
	每片芯片元件数目 1
	晶体管材料 Si
	宽度 25.42mm
	高度 9.6mm
	最低工作温度 -55 °C

N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列

IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。

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