STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 30 A, TO-263, 表面安装, 2引脚, STB45N60DM6, STB系列
- RS 库存编号:
- 214-850
- 制造商零件编号:
- STB45N60DM6
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 214-850
- 制造商零件编号:
- STB45N60DM6
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 30A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | STB | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 2 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 99mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.6V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 44nC | |
| 最大功耗 Pd | 210W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 15.85mm | |
| 高度 | 4.6mm | |
| 宽度 | 10.4 mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 30A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 STB | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 2 | ||
最大漏源电阻 Rd 99mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.6V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 44nC | ||
最大功耗 Pd 210W | ||
最大栅源电压 Vgs 25 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 15.85mm | ||
高度 4.6mm | ||
宽度 10.4 mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
意法半导体的高压 N 沟道功率 MOSFET 属于 MDmesh DM6 快恢复二极管系列。与上一代 MDmesh 快速恢复二极管相比，DM6 具有非常低的恢复电荷 (Qrr)、恢复时间 (trr) 并在每个区域的 RDS(导通) 上获得卓越提升，同时还兼具市场上最严苛高效桥接拓扑结构和 ZVS 相移转换器的最有效切换方式。
极高的 dv/dt 强度
齐纳保护