STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 55 A, H2PAK-7, 表面安装, 7引脚, SCT025H120G3AG, SCT025H120G3AG系列
- RS 库存编号:
- 214-952
- 制造商零件编号:
- SCT025H120G3AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计（1 件）*
¥259.56
(不含税)
¥293.30
(含税)
有库存
- 另外 1,000 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB259.56 |
| 10 - 99 | RMB233.58 |
| 100 + | RMB215.39 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 214-952
- 制造商零件编号:
- SCT025H120G3AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 55A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 包装类型 | H2PAK-7 | |
| 系列 | SCT025H120G3AG | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 27mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 375W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 73nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 22 V | |
| 正向电压 Vf | 2.7V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 10.4 mm | |
| 标准/认证 | AEC-Q101, RoHS | |
| 高度 | 4.8mm | |
| 长度 | 15.25mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 55A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
包装类型 H2PAK-7 | ||
系列 SCT025H120G3AG | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻 Rd 27mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 375W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 73nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 22 V | ||
正向电压 Vf 2.7V | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 10.4 mm | ||
标准/认证 AEC-Q101, RoHS | ||
高度 4.8mm | ||
长度 15.25mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
意法半导体碳化硅功率 MOSFET 器件采用意法半导体先进的创新型第三代 SiC MOSFET 技术开发而成。该设备在整个温度范围内具有非常低的 RDS(接通),结合低电容和非常高的切换操作,可在频率、能效、系统尺寸和重量降低方面提高应用性能。
高速开关性能
速度极快、坚固耐用的本征体二极管