STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=60 A, 7针, H2PAK-7, SCT系列

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包装方式：
RS 库存编号:
214-955
制造商零件编号:
SCT027H65G3AG
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

60A

最大漏源电压 Vd

650V

系列

SCT

包装类型

H2PAK-7

安装类型

表面

引脚数目

7

最大漏源电阻 Rd

29mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

48.6nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

2.9V

最大栅源电压 Vgs

22V

最大功耗 Pd

300W

最高工作温度

175°C

宽度

10.4mm

标准/认证

RoHS, AEC-Q101

长度

15.25mm

高度

4.8mm

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
意法半导体碳化硅功率 MOSFET 器件采用意法半导体先进的创新型第三代 SiC MOSFET 技术开发而成。该设备在整个温度范围内具有非常低的 RDS(接通),结合低电容和非常高的切换操作,可在频率、能效、系统尺寸和重量降低方面提高应用性能。

高速开关性能

速度极快、坚固耐用的本征体二极管

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