制造商编号

STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=1200 V, Id=33 A, 4针, Hip-247, SCTWA40N12G24AG系列

RS 库存编号:: 214-972
制造商零件编号:: SCTWA40N12G24AG
制造商:: STMicroelectronics

STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=1200 V, Id=33 A, 4针, Hip-247, SCTWA40N12G24AG系列

小计（1 管，共 30 件）*

RMB4,200.90

(不含税)

RMB4,746.90

最后的 RS 库存

最终 30 个，准备发货

单位	每单位	Per Tube*
30 +	RMB140.03	RMB4,200.90

* 参考价格

RS 库存编号:: 214-972
制造商零件编号:: SCTWA40N12G24AG
制造商:: STMicroelectronics

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	STMicroelectronics
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	33A
	最大漏源电压 Vd	1200V
	包装类型	Hip-247
	系列	SCTWA40N12G24AG
	安装类型	通孔
	引脚数目	4
	最大漏源电阻 Rd	105mΩ
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	290W
	正向电压 Vf	3.4V
	最大栅源电压 Vgs	22V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	63nC
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	200°C
	标准/认证	AEC-Q101
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 STMicroelectronics
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 33A
	最大漏源电压 Vd 1200V
	包装类型 Hip-247
	系列 SCTWA40N12G24AG
	安装类型通孔
	引脚数目 4
	最大漏源电阻 Rd 105mΩ
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 290W
	正向电压 Vf 3.4V
	最大栅源电压 Vgs 22V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 63nC
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 200°C
	标准/认证 AEC-Q101
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - SCTWA40N12G24AG

COO (Country of Origin):: CN

意法半导体碳化硅功率 MOSFET 器件采用意法半导体先进的创新型第二代碳化硅 MOSFET 技术开发而成。该器件的单位面积导通电阻极低，开关性能极佳。开关损耗的变化几乎与结温无关。

速度极快、坚固耐用的本征体二极管

源传感引脚，提高效率

STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=1200 V, Id=33 A, 4针, Hip-247, SCTWA40N12G24AG系列

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