STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 33 A, Hip-247, 通孔安装, 4引脚, SCTWA40N12G24AG, SCTWA40N12G24AG系列
- RS 库存编号:
- 214-972
- 制造商零件编号:
- SCTWA40N12G24AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
小计（1 管，共 30 件）*
¥4,480.95
(不含税)
¥5,063.46
(含税)
有库存
- 另外 30 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 30 + | RMB149.365 | RMB4,480.95 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 214-972
- 制造商零件编号:
- SCTWA40N12G24AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 33A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 包装类型 | Hip-247 | |
| 系列 | SCTWA40N12G24AG | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 105mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 63nC | |
| 正向电压 Vf | 3.4V | |
| 最大功耗 Pd | 290W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 22 V | |
| 最高工作温度 | 200°C | |
| 标准/认证 | AEC-Q101 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 33A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
包装类型 Hip-247 | ||
系列 SCTWA40N12G24AG | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 105mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 63nC | ||
正向电压 Vf 3.4V | ||
最大功耗 Pd 290W | ||
最大栅源电压 Vgs 22 V | ||
最高工作温度 200°C | ||
标准/认证 AEC-Q101 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
意法半导体碳化硅功率 MOSFET 器件采用意法半导体先进的创新型第二代碳化硅 MOSFET 技术开发而成。该器件的单位面积导通电阻极低，开关性能极佳。开关损耗的变化几乎与结温无关。
速度极快、坚固耐用的本征体二极管
源传感引脚，提高效率