STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 56 A, Hip-247, 通孔安装, 3引脚, SCT系列

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包装方式:
RS 库存编号:
215-073
制造商零件编号:
SCT025W120G3AG
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

56A

最大漏源电压 Vd

1200V

系列

SCT

包装类型

Hip-247

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

27mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

22 V

最大功耗 Pd

388W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

73nC

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

200°C

高度

5mm

长度

34.8mm

宽度

15.6 mm

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

意法半导体碳化硅功率 MOSFET 器件采用意法半导体先进的创新型第三代 SiC MOSFET 技术开发而成。该设备在整个温度范围内具有非常低的 RDS(接通),结合低电容和非常高的切换操作,可在频率、能效、系统尺寸和重量降低方面提高应用性能。

高速开关性能

速度极快、坚固耐用的本征体二极管