STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 29 A, 通孔安装, 4引脚, SCT系列

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包装方式:
RS 库存编号:
215-223
制造商零件编号:
SCT015W120G3-4AG
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

29A

最大漏源电压 Vd

1200V

系列

SCT

安装类型

通孔

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

20mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

167nC

最大功耗 Pd

673W

最大栅源电压 Vgs

4.2 V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

200°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

意法半导体碳化硅功率 MOSFET 器件采用意法半导体先进的创新型第三代 SiC MOSFET 技术开发而成。该设备在整个温度范围内具有非常低的 RDS(接通),结合低电容和非常高的切换操作,可在频率、能效、系统尺寸和重量降低方面提高应用性能。

极低的栅极电荷和输入电容

速度极快、坚固耐用的本征体二极管