STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=1200V, 40A, H2PAK-7, 贴片安装, 7引脚, SCT系列
- RS 库存编号:
- 215-232
- 制造商零件编号:
- SCT040H120G3AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- RS 库存编号:
- 215-232
- 制造商零件编号:
- SCT040H120G3AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 40A | |
| 最大漏源电压 | 1200V | |
| 封装类型 | H2PAK-7 | |
| 系列 | SCT | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | SiC | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 40A | ||
最大漏源电压 1200V | ||
封装类型 H2PAK-7 | ||
系列 SCT | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 7 | ||
通道模式 增强 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 SiC | ||
意法半导体碳化硅功率 MOSFET 器件采用意法半导体先进的创新型第三代 SiC MOSFET 技术开发而成。该设备在整个温度范围内具有非常低的 RDS(接通),结合低电容和非常高的切换操作,可在频率、能效、系统尺寸和重量降低方面提高应用性能。
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速度极快、坚固耐用的本征体二极管
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