STMicroelectronics N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=1200 V, 30 A, HU3PAK, 表面安装, 7引脚, SCT070HU120G3AG, SCT系列

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215-241
制造商零件编号:
SCT070HU120G3AG
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

产品类型

功率 MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

30A

最大漏源电压 Vd

1200V

系列

SCT

包装类型

HU3PAK

安装类型

表面

引脚数目

7

最大漏源电阻 Rd

63mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

23W

最大栅源电压 Vgs

22 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

37nC

最高工作温度

175°C

宽度

14 mm

高度

3.5mm

长度

18.58mm

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
JP
意法半导体碳化硅功率 MOSFET 器件采用意法半导体先进的创新型第三代 SiC MOSFET 技术开发而成。该设备在整个温度范围内具有非常低的 RDS(接通),结合低电容和非常高的切换操作,可在频率、能效、系统尺寸和重量降低方面提高应用性能。

高速开关性能

速度极快、坚固耐用的本征体二极管