DiodesZetex , 2 N型沟道 双 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 0.9 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, ZXMS6008N8系列, ZXMS6008DN8Q-13
- RS 库存编号:
- 216-350
- 制造商零件编号:
- ZXMS6008DN8Q-13
- 制造商:
- DiodesZetex
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 216-350
- 制造商零件编号:
- ZXMS6008DN8Q-13
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 0.9A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | SO-8 | |
| 系列 | ZXMS6008N8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 800mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最大功耗 Pd | 2.13W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 高度 | 1.45mm | |
| 宽度 | 6 mm | |
| 标准/认证 | RoHS, Antimony-Free | |
| 长度 | 4.9mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 0.9A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 SO-8 | ||
系列 ZXMS6008N8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 800mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最大功耗 Pd 2.13W | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 双 | ||
高度 1.45mm | ||
宽度 6 mm | ||
标准/认证 RoHS, Antimony-Free | ||
长度 4.9mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
DiodesZetex MOSFET 是具有逻辑电平输入的双自保护低端 IntelliFET MOSFET。它集成了过温、过流、过压和 ESD 保护逻辑电平功能。它是由 3.3V 或 5V 微控制器驱动的通用开关的理想选择，适用于标准 MOSFET 强度不够的恶劣环境。
紧凑型高功率耗散封装
低输入电流
短路保护，自动重启
过电压保护
热关机，自动重启
过流保护
输入 ESD 保护
高额定连续电流