Nexperia N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 150 A, LFPAK, 表面安装, 5引脚, PSMN1R8-30MLHX, PSM系列
- RS 库存编号:
- 219-268P
- 制造商零件编号:
- PSMN1R8-30MLHX
- 制造商:
- Nexperia
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 99 | RMB7.88 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 219-268P
- 制造商零件编号:
- PSMN1R8-30MLHX
- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 150A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | PSM | |
| 包装类型 | LFPAK | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2.1mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 28nC | |
| 最大功耗 Pd | 106W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 150A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 PSM | ||
包装类型 LFPAK | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻 Rd 2.1mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 28nC | ||
最大功耗 Pd 106W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
采用 NextPowerS3 技术的 Nexperia N 沟道 MOSFET 具有低 RDS、低 IDSS 漏泄和高效率，额定电流为 150 A。主要应用包括同步降压稳压器、交流到直流和直流到交流转换中的同步整流器、无刷直流电机控制、电子保险丝和电池保护，以及 OR-ing 和热插拔功能。
快速切换
低尖峰和振铃，实现低 EMI 设计
高可靠性铜夹粘接
合格温度为 175 °C
外露引线可实现最佳的焊接目视检查