Nexperia N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 42 A, LFPAK, 表面安装, 8引脚, PSMN014-40HLDX, NextPowerS3系列

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219-283
制造商零件编号:
PSMN014-40HLDX
制造商:
Nexperia
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品牌

Nexperia

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

42A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

LFPAK

系列

NextPowerS3

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

13.6mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

19.4nC

最大功耗 Pd

46W

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

COO (Country of Origin):
PH
采用 LFPAK56D 封装的 Nexperia N 沟道 MOSFET 采用 NextPowerS3 技术,具有高性能和高效率。它是无刷直流电机控制、直流-直流转换器、高性能同步整流和服务器电源等应用的理想之选。

双 MOSFET

重复雪崩额定值

铜夹和焊模连接

合格温度为 175 °C