Nexperia N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=25 V, 300 A, LFPAK, 表面安装, 5引脚, PSMNR60-25YLHX, PSM系列
- RS 库存编号:
- 219-299
- 制造商零件编号:
- PSMNR60-25YLHX
- 制造商:
- Nexperia
可享批量折扣
小计（1 卷，共 1 件）*
¥14.98
(不含税)
¥16.93
(含税)
库存信息目前无法查询
Tape(s) | Per Tape |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB14.98 |
| 10 - 99 | RMB13.52 |
| 100 - 499 | RMB12.45 |
| 500 - 999 | RMB11.58 |
| 1000 + | RMB10.31 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 219-299
- 制造商零件编号:
- PSMNR60-25YLHX
- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 300A | |
| 最大漏源电压 Vd | 25V | |
| 系列 | PSM | |
| 包装类型 | LFPAK | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.7mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 268W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 4.5 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 43nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 300A | ||
最大漏源电压 Vd 25V | ||
系列 PSM | ||
包装类型 LFPAK | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.7mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 268W | ||
最大栅源电压 Vgs 4.5 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 43nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
Nexperia N 沟道 MOSFET 经过优化，即使在高温条件下也能实现低 RDSon、低 IDSS 漏泄、高效率和高电流处理能力。它是直流负载开关和热插拔应用的理想选择。主要用途包括热插拔、电子保险丝、电源 OR-ing、直流/负载开关、电池保护和有刷/无刷直流电机控制。
铜夹，寄生电感和电阻低
高可靠性 LFPAK 封装
合格温度为 175 °C
波峰焊