Nexperia N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=25 V, 60 A, LFPAK, 表面安装, 5引脚, PSMN6R1-25MLDX, PSM系列
- RS 库存编号:
- 219-309
- 制造商零件编号:
- PSMN6R1-25MLDX
- 制造商:
- Nexperia
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- RS 库存编号:
- 219-309
- 制造商零件编号:
- PSMN6R1-25MLDX
- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 60A | |
| 最大漏源电压 Vd | 25V | |
| 包装类型 | LFPAK | |
| 系列 | PSM | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 6.8mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 10.7nC | |
| 最大功耗 Pd | 42W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 60A | ||
最大漏源电压 Vd 25V | ||
包装类型 LFPAK | ||
系列 PSM | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻 Rd 6.8mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 10.7nC | ||
最大功耗 Pd 42W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
Nexperia N 沟道 MOSFET 采用 NextPowerS3 产品组合，采用恩智浦独特的 SchottkyPlus 技术，具有与集成肖特基二极管或肖特基类二极管的 MOSFET 相似的高效率、低尖峰性能，但不会产生高漏电流问题。NextPowerS3 尤其适用于高开关频率下的高效应用。
寄生电感和电阻低
高可靠性夹式粘接和焊接芯片连接电源 SO8 封装
带软恢复功能的超快切换
合格温度为 175 °C