Nexperia N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 100 A, LFPAK, 表面安装, 5引脚, PSMN2R0-30YLE,115, PSM系列

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RS 库存编号:
219-316
制造商零件编号:
PSMN2R0-30YLE,115
制造商:
Nexperia
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品牌

Nexperia

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

100A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

LFPAK

系列

PSM

安装类型

表面

引脚数目

5

最大漏源电阻 Rd

2mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

87nC

最大功耗 Pd

238W

最大栅源电压 Vgs

10 V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

COO (Country of Origin):
PH
Nexperia N 沟道 MOSFET 采用 LFPAK 封装,合格温度为 175°C。它专为各种工业、通信和家庭应用而设计。主要用途包括电子保险丝、热交换、负载开关和软启动。

增强型正向偏压安全工作区,实现卓越的线性模式运行

极低的 Rdson,可降低传导损耗