Nexperia N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=70 A, 5针, LFPAK, PSM系列

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包装方式：
RS 库存编号:
219-323
制造商零件编号:
PSMN2R4-30MLDX
制造商:
Nexperia
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品牌

Nexperia

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

70A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

LFPAK

系列

PSM

安装类型

表面

引脚数目

5

最大漏源电阻 Rd

2.4mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

91W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

16nC

最大栅源电压 Vgs

20V

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

否

Nexperia N 沟道 MOSFET 采用 NextPowerS3 产品组合，采用恩智浦独特的 SchottkyPlus 技术，具有与集成肖特基二极管或肖特基类二极管的 MOSFET 相似的高效率、低尖峰性能，但不会产生高漏电流问题。NextPowerS3 尤其适用于高开关频率下的高效应用。

寄生电感和电阻低

高可靠性夹式粘接和焊接芯片连接电源 SO8 封装

合格温度为 175 °C

带软恢复功能的超快切换

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