Nexperia N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 380 A, LFPAK, 表面安装, 5引脚, PSMNR58-30YLHX, PSM系列

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RS 库存编号:
219-329P
制造商零件编号:
PSMNR58-30YLHX
制造商:
Nexperia
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品牌

Nexperia

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

380A

最大漏源电压 Vd

30V

系列

PSM

包装类型

LFPAK

安装类型

表面

引脚数目

5

最大漏源电阻 Rd

0.67mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

333W

最大栅源电压 Vgs

10 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

55nC

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

COO (Country of Origin):
PH
Nexperia N 沟道 MOSFET 经过优化,即使在高温条件下也能实现低 RDSon、低 IDSS 漏泄、高效率和高电流处理能力。它是直流负载开关和热插拔应用的理想选择。主要用途包括热插拔、电子保险丝、电源 OR-ing、直流/负载开关、电池保护和有刷/无刷直流电机控制。

铜夹,寄生电感和电阻低

高可靠性 LFPAK 封装

合格温度为 175 °C

波峰焊