Nexperia N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 290 A, LFPAK, 表面安装, 5引脚, PSMN1R0-40YSHX, NextPower-S3 Schottky-Plus technology系列

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制造商零件编号:
PSMN1R0-40YSHX
制造商:
Nexperia
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品牌

Nexperia

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

290A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

LFPAK

系列

NextPower-S3 Schottky-Plus technology

安装类型

表面

引脚数目

5

最大漏源电阻 Rd

1mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

87nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

333W

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

COO (Country of Origin):
PH
Nexperia N 沟道 MOSFET 采用先进的 TrenchMOS 超级结技术。该产品专为高性能功率开关应用而设计,并通过了认证。它专为高性能应用而设计,包括同步整流、直流-直流转换器、服务器电源、无刷直流电机控制、电池保护和负载开关/电子保险丝解决方案。它能在各种电源管理任务中提供高效率和可靠的性能。

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