制造商编号

Nexperia N型沟道增强型 MOSFET, Vds=40 V, 300 A, LFPAK, 表面安装, 5引脚, PSMNR90-40YLHX, PSM系列

RS 库存编号:: 219-354P
制造商零件编号:: PSMNR90-40YLHX
制造商:: Nexperia

Nexperia N型沟道增强型 MOSFET, Vds=40 V, 300 A, LFPAK, 表面安装, 5引脚, PSMNR90-40YLHX, PSM系列

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RS 库存编号:: 219-354P
制造商零件编号:: PSMNR90-40YLHX
制造商:: Nexperia

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Nexperia
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	300A
	最大漏源电压 Vd	40V
	系列	PSM
	包装类型	LFPAK
	安装类型	表面
	引脚数目	5
	最大漏源电阻 Rd	0.94mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	333W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	54nC
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Nexperia
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 300A
	最大漏源电压 Vd 40V
	系列 PSM
	包装类型 LFPAK
	安装类型表面
	引脚数目 5
	最大漏源电阻 Rd 0.94mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 333W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 54nC
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - PSMNR90-40YLHX

COO (Country of Origin):: PH

Nexperia N 沟道 MOSFET 采用先进的 TrenchMOS 超级结技术。封装的合格温度为 175 °C。它专为高性能功率开关应用而设计。主要应用包括自动化、机器人、直流-直流转换器、无刷直流电机控制、工业负载开关、电子保险丝和浪涌管理。

寄生电感和电阻低

高可靠性夹式粘接和焊接芯片连接电源 SO8 封装

带软恢复功能的超快切换

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