Nexperia N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 86 A, LFPAK, 表面安装, 5引脚, PSMN7R5-60YLX, PSM系列
- RS 库存编号:
- 219-366P
- 制造商零件编号:
- PSMN7R5-60YLX
- 制造商:
- Nexperia
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 99 | RMB6.23 |
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| 500 - 999 | RMB5.35 |
| 1000 + | RMB4.77 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 219-366P
- 制造商零件编号:
- PSMN7R5-60YLX
- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 86A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | PSM | |
| 包装类型 | LFPAK | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 7.5mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 60.6nC | |
| 最大功耗 Pd | 147W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS, IEC 60134 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 86A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 PSM | ||
包装类型 LFPAK | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻 Rd 7.5mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 60.6nC | ||
最大功耗 Pd 147W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS, IEC 60134 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
Nexperia N 沟道 MOSFET 采用 LFPAK56 封装，采用 TrenchMOS 技术，设计用于各种电源和电机控制应用。主要用途包括 LLC 拓扑中的同步整流、输出电压低于 10V 的充电器和适配器、快速充电和 USB-PD 应用、电池供电的电机控制以及 LED 照明/电视背光。
逻辑电平门操作
雪崩等级和 100% 测试
LFPAK 采用功率 SO8 封装，可提供最大功率密度