Nexperia N沟道增强型MOS管, Vds=40V, 120A, LFPAK, 贴片安装, 5引脚
- RS 库存编号:
- 219-369P
- 制造商零件编号:
- PSMN3R5-40YSBX
- 制造商:
- Nexperia
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 219-369P
- 制造商零件编号:
- PSMN3R5-40YSBX
- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 120A | |
| 最大漏源电压 | 40V | |
| 封装类型 | LFPAK | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 120A | ||
最大漏源电压 40V | ||
封装类型 LFPAK | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 5 | ||
通道模式 增强 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
Nexperia N 沟道 MOSFET 采用先进的 TrenchMOS 超级结技术。封装的合格温度为 175 °C。它专为高性能功率开关应用而设计。主要应用包括自动化、机器人、直流-直流转换器、无刷直流电机控制、工业负载开关、电子保险丝和浪涌管理。
寄生电感和电阻低
高可靠性夹式粘接和焊接芯片连接电源 SO8 封装
波峰焊
带软恢复功能的超快切换
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