Nexperia N型沟道 N型 MOSFET, Vds=100 V, 50 A, MLPAK, 表面安装, 8引脚, PXN012-100QSJ, PXN系列
- RS 库存编号:
- 219-391P
- 制造商零件编号:
- PXN012-100QSJ
- 制造商:
- Nexperia
可享批量折扣
小计 10 件 (按连续条带形式提供)*
¥42.20
(不含税)
¥47.70
(含税)
有库存
- 另外 3,000 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 99 | RMB4.22 |
| 100 - 499 | RMB4.10 |
| 500 - 999 | RMB3.98 |
| 1000 + | RMB3.86 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 219-391P
- 制造商零件编号:
- PXN012-100QSJ
- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 50A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | PXN | |
| 包装类型 | MLPAK | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 12mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 最大栅源电压 Vgs | 10 V | |
| 最大功耗 Pd | 58W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 22nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 宽度 | 3.3 mm | |
| 长度 | 3.3mm | |
| 高度 | 0.8mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 50A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 PXN | ||
包装类型 MLPAK | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 12mΩ | ||
通道模式 N | ||
最大栅源电压 Vgs 10 V | ||
最大功耗 Pd 58W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 22nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
宽度 3.3 mm | ||
长度 3.3mm | ||
高度 0.8mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Nexperia N 沟道 MOSFET 采用 MLPAK33 封装。它专为各种标准应用而设计。主要用途包括二次侧同步整流、直流-直流转换器、家用电器、电机驱动、负载开关和 LED 照明。
标准级兼容性
沟槽 MOSFET 技术
热效率高的小型封装