Nexperia N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 160 A, LFPAK, 表面安装, 5引脚, PSMN2R5-40YLBX, PSM系列

可享批量折扣

小计(1 卷,共 1 件)*

¥7.20

(不含税)

¥8.14

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 1,495 件将从其他地点发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
Tape(s)
Per Tape
1 - 9RMB7.20
10 - 99RMB6.52
100 - 499RMB5.93
500 - 999RMB5.55
1000 +RMB4.96

* 参考价格

Packaging Options:
RS 库存编号:
219-394
制造商零件编号:
PSMN2R5-40YLBX
制造商:
Nexperia
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Nexperia

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

160A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

PSM

包装类型

LFPAK

安装类型

表面

引脚数目

5

最大漏源电阻 Rd

2.6mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

10 V

最大功耗 Pd

147W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

25nC

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

COO (Country of Origin):
PH
Nexperia N 沟道 MOSFET 采用先进的 TrenchMOS 超级结技术。封装的合格温度为 175 °C。它专为高性能功率开关应用而设计。主要应用包括自动化、机器人、直流-直流转换器、无刷直流电机控制、工业负载开关、电子保险丝和浪涌管理。

寄生电感和电阻低

高可靠性夹式粘接和焊接芯片连接电源 SO8 封装

波峰焊

带软恢复功能的超快切换