Nexperia N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 18 A, LFPAK, 表面安装, 5引脚, PSMN075-100MSEX, PSM系列
- RS 库存编号:
- 219-414P
- 制造商零件编号:
- PSMN075-100MSEX
- 制造商:
- Nexperia
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 99 | RMB4.18 |
| 100 - 499 | RMB3.89 |
| 500 - 999 | RMB3.60 |
| 1000 + | RMB3.21 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 219-414P
- 制造商零件编号:
- PSMN075-100MSEX
- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 18A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | PSM | |
| 包装类型 | LFPAK | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 71mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 10 V | |
| 最大功耗 Pd | 65W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 16.4nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | IEEE802.3at, RoHS | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 18A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 PSM | ||
包装类型 LFPAK | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻 Rd 71mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 10 V | ||
最大功耗 Pd 65W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 16.4nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 IEEE802.3at, RoHS | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
Nexperia N 沟道 MOSFET 专用于支持下一代以太网供电系统，能够为每个供电设备提供高达 100W 的功率。它能满足大屏幕液晶显示器、3G/4G/Wi-Fi 热点和平移变焦闭路电视摄像机等应用的更高要求。它具有解决软启动程序、短路恢复能力、热管理和高功率密度等问题的先进功能，可确保电源设备在苛刻环境中实现可靠、高效的性能。
增强的正向偏压安全工作区可实现卓越的线性模式运行
低 Rdson 可降低传导损耗
超可靠的 LFPAK33 封装
非常低的 IDSS