制造商编号

Nexperia N型沟道增强型 MOSFET, Vds=100 V, 17 A, MLPAK, 表面安装, 8引脚, PXN040-100QSJ, PXN系列

RS 库存编号:: 219-418P
制造商零件编号:: PXN040-100QSJ
制造商:: Nexperia

Nexperia N型沟道增强型 MOSFET, Vds=100 V, 17 A, MLPAK, 表面安装, 8引脚, PXN040-100QSJ, PXN系列

可享批量折扣

查看批量定价选项

小计 10 件 (按连续条带形式提供)*

RMB49.40

(不含税)

RMB55.80

3,000 件在 2027年2月17日发货

**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位	每单位
10 - 99	RMB4.94
100 - 499	RMB4.56
500 - 999	RMB4.27
1000 +	RMB3.89

* 参考价格

RS 库存编号:: 219-418P
制造商零件编号:: PXN040-100QSJ
制造商:: Nexperia

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Nexperia
	槽架类型	N型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	17A
	最大漏源电压 Vd	100V
	包装类型	MLPAK
	系列	PXN
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	40mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	21W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	6.6nC
	最高工作温度	150°C
	长度	3.3mm
	标准/认证	RoHS
	高度	0.8mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Nexperia
	槽架类型 N型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 17A
	最大漏源电压 Vd 100V
	包装类型 MLPAK
	系列 PXN
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 40mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 21W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 6.6nC
	最高工作温度 150°C
	长度 3.3mm
	标准/认证 RoHS
	高度 0.8mm
	汽车标准否

Datasheet - PXN040-100QSJ

COO (Country of Origin):: CN

Nexperia N 沟道 MOSFET 采用 MLPAK33 封装。它专为各种标准应用而设计。主要用途包括二次侧同步整流、直流-直流转换器、家用电器、电机驱动、负载开关和 LED 照明。

标准级兼容性

沟槽 MOSFET 技术

热效率高的小型封装

Nexperia N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 17 A, MLPAK, 表面安装, 8引脚, PXN040-100QSJ, PXN系列

批量定价选项

相关链接

Nexperia N型沟道增强型 MOSFET, Vds=100 V, 17 A, MLPAK, 表面安装, 8引脚, PXN040-100QSJ, PXN系列