Nexperia N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 240 A, LFPAK, 表面安装, 5引脚, PSMN1R5-40YSDX, PSM系列
- RS 库存编号:
- 219-432P
- 制造商零件编号:
- PSMN1R5-40YSDX
- 制造商:
- Nexperia
可享批量折扣
小计 10 件 (按连续条带形式提供)*
¥161.50
(不含税)
¥182.50
(含税)
有库存
- 另外 1,490 件在 2025年12月15日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 99 | RMB16.15 |
| 100 - 499 | RMB14.88 |
| 500 - 999 | RMB13.81 |
| 1000 + | RMB12.36 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 219-432P
- 制造商零件编号:
- PSMN1R5-40YSDX
- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 240A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | LFPAK | |
| 系列 | PSM | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.5mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 238W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 46nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 240A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 LFPAK | ||
系列 PSM | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.5mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 238W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 46nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
Nexperia N 沟道 MOSFET 采用先进的 TrenchMOS 超级结技术，针对高性能功率开关进行了优化。它是同步整流、直流-直流转换器、服务器电源、无刷直流电机控制、电池保护和浪涌管理等应用的理想之选。
雪崩等级，100% 经过测试
强大的 SOA 评级
外露引线可以波峰焊接
寄生电感和电阻低