Nexperia N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 265 A, LFPAK, 表面安装, 5引脚, PSMN1R1-30YLEX, PSMN1R1-30YLE系列
- RS 库存编号:
- 219-435
- 制造商零件编号:
- PSMN1R1-30YLEX
- 制造商:
- Nexperia
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- RS 库存编号:
- 219-435
- 制造商零件编号:
- PSMN1R1-30YLEX
- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 265A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | LFPAK | |
| 系列 | PSMN1R1-30YLE | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.3mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 13nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 192W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 265A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 LFPAK | ||
系列 PSMN1R1-30YLE | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.3mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 13nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 192W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
Nexperia N 沟道 ASFET 经过优化，具有较低的导通 RDS 和较强的安全工作区，非常适合热插拔、浪涌和线性模式应用。它非常适合 12V 至 20V 系统中的电子保险丝、直流开关、负载开关和电池保护。
25 °C 时漏电流小于 1 μA
铜夹，寄生电感和电阻低
高可靠性 LFPAK 封装，合格温度达 175 °C