Nexperia N沟道增强型MOS管, Vds=30V, 265A, LFPAK, 贴片安装, 5引脚
- RS 库存编号:
- 219-435P
- 制造商零件编号:
- PSMN1R1-30YLEX
- 制造商:
- Nexperia
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 219-435P
- 制造商零件编号:
- PSMN1R1-30YLEX
- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 265A | |
| 最大漏源电压 | 30V | |
| 封装类型 | LFPAK | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 265A | ||
最大漏源电压 30V | ||
封装类型 LFPAK | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 5 | ||
通道模式 增强 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
Nexperia N 沟道 ASFET 经过优化，具有较低的导通 RDS 和较强的安全工作区，非常适合热插拔、浪涌和线性模式应用。它非常适合 12V 至 20V 系统中的电子保险丝、直流开关、负载开关和电池保护。
25 °C 时漏电流小于 1 μA
铜夹，寄生电感和电阻低
高可靠性 LFPAK 封装，合格温度达 175 °C