Nexperia N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 67 A, TO-263, 表面安装, 7引脚, NSF030120D7A0系列

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包装方式:
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219-443P
制造商零件编号:
NSF030120D7A0J
制造商:
Nexperia
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品牌

Nexperia

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

67A

最大漏源电压 Vd

1200V

包装类型

TO-263

系列

NSF030120D7A0

安装类型

表面

引脚数目

7

最大漏源电阻 Rd

30mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

113nC

最大功耗 Pd

306W

最大栅源电压 Vgs

22 V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN
Nexperia SiC 功率 MOSFET 采用紧凑型 7 引脚 TO-263 塑料封装,适用于 PCB 表面安装。其出色的 RDS(on)温度稳定性和快速开关速度使其成为电动汽车充电基础设施、光伏逆变器和电机驱动器等大功率、高电压工业应用的理想之选。

快速反向恢复

切换速度快

与温度无关的关断开关损耗

速度极快、坚固耐用的本征体二极管