Nexperia N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=210 A, 5针, LFPAK, PSM系列
- RS 库存编号:
- 219-452P
- 制造商零件编号:
- PSMN2R9-100SSEJ
- 制造商:
- Nexperia
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 99 | RMB42.23 |
| 100 - 499 | RMB38.95 |
| 500 - 999 | RMB36.16 |
| 1000 + | RMB29.27 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 219-452P
- 制造商零件编号:
- PSMN2R9-100SSEJ
- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 210A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | PSM | |
| 包装类型 | LFPAK | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2.9mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 341W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 125nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 210A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 PSM | ||
包装类型 LFPAK | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻 Rd 2.9mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 341W | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 125nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Nexperia N 沟道 MOSFET 采用高可靠性铜夹 LFPAK88 封装，具有极低的 RDS（on）和更强的安全工作区性能。它针对热插拔控制器进行了优化，能够承受高浪涌电流，并最大限度地减少 I²R 损耗，从而提高效率。应用包括热插拔、负载开关、软启动和电子保险丝。
SOA 实现卓越的线性模式运行
LFPAK88 封装，适用于要求最高性能的应用