Nexperia N沟道增强型MOS管, Vds=80V, 286 A, LFPAK, 贴片安装, 5引脚
- RS 库存编号:
- 219-454
- 制造商零件编号:
- PSMN1R9-80SSEJ
- 制造商:
- Nexperia
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- PSMN1R9-80SSEJ
- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 286 A | |
| 最大漏源电压 | 80V | |
| 封装类型 | LFPAK | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 286 A | ||
最大漏源电压 80V | ||
封装类型 LFPAK | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 5 | ||
通道模式 增强 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Nexperia N 沟道 MOSFET 采用高可靠性铜夹 LFPAK88 封装，具有极低的 RDS（on）和更强的安全工作区性能。它针对热插拔控制器进行了优化，能够承受高浪涌电流，并最大限度地减少 I²R 损耗，从而提高效率。应用包括热插拔、负载开关、软启动和电子保险丝。
SOA 实现卓越的线性模式运行
LFPAK88 封装，适用于要求最高性能的应用
LFPAK88 封装，适用于要求最高性能的应用