Nexperia N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 255 A, LFPAK, 表面安装, 5引脚, PSM系列
- RS Stock No.:
- 219-455P
- Mfr. Part No.:
- PSMN2R3-100SSEJ
- Brand:
- Nexperia
Bulk discount available
Subtotal 10 units (supplied on a continuous strip)*
¥346.30
(exc. VAT)
¥391.30
(inc. VAT)
暂时缺货
- 在 2026年6月22日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
Units | Per unit |
|---|---|
| 10 - 99 | RMB34.63 |
| 100 - 499 | RMB32.01 |
| 500 - 999 | RMB29.67 |
| 1000 + | RMB24.13 |
*price indicative
- RS Stock No.:
- 219-455P
- Mfr. Part No.:
- PSMN2R3-100SSEJ
- Brand:
- Nexperia
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
Find similar products by selecting one or more attributes.
Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 255A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | PSM | |
| 包装类型 | LFPAK | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2.28mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 10 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 161nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 341W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| Select all | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 255A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 PSM | ||
包装类型 LFPAK | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻 Rd 2.28mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 10 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 161nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 341W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Nexperia N 沟道 MOSFET 采用高可靠性铜夹 LFPAK88 封装,具有极低的 RDS(on)和更强的安全工作区性能。它针对热插拔控制器进行了优化,能够承受高浪涌电流,并最大限度地减少 I²R 损耗,从而提高效率。应用包括热插拔、负载开关、软启动和电子保险丝。
SOA 实现卓越的线性模式运行
LFPAK88 封装,适用于要求最高性能的应用
