Nexperia N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 255 A, LFPAK, 表面安装, 5引脚, PSM系列

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RS Stock No.:
219-455P
Mfr. Part No.:
PSMN2R3-100SSEJ
Brand:
Nexperia
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品牌

Nexperia

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

255A

最大漏源电压 Vd

100V

系列

PSM

包装类型

LFPAK

安装类型

表面

引脚数目

5

最大漏源电阻 Rd

2.28mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

10 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

161nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

341W

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

COO (Country of Origin):
MY
Nexperia N 沟道 MOSFET 采用高可靠性铜夹 LFPAK88 封装,具有极低的 RDS(on)和更强的安全工作区性能。它针对热插拔控制器进行了优化,能够承受高浪涌电流,并最大限度地减少 I²R 损耗,从而提高效率。应用包括热插拔、负载开关、软启动和电子保险丝。

SOA 实现卓越的线性模式运行

LFPAK88 封装,适用于要求最高性能的应用