Nexperia N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 267 A, LFPAK, 表面安装, 5引脚, PSMN2R0-100SSFJ, PSM系列

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219-461
制造商零件编号:
PSMN2R0-100SSFJ
制造商:
Nexperia
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品牌

Nexperia

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

267A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

LFPAK

系列

PSM

安装类型

表面

引脚数目

5

最大漏源电阻 Rd

2.07mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

161nC

最大栅源电压 Vgs

10 V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

341W

最高工作温度

175°C

高度

1.6mm

宽度

8 mm

标准/认证

RoHS

长度

8mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
MY
Nexperia N 沟道 MOSFET 的工作温度可达 175°C,是工业和消费应用的理想之选。主要应用包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器中的同步整流、初级侧开关、BLDC 电机控制、全桥和半桥电路以及电池保护。

强大的雪崩能量等级

雪崩等级和 100% 测试

无有害物质,符合 RoHS 标准